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多像素光电二极管阵列

多像素光电二极管阵列

简要描述:Optodiode光电二极管:多元件和阵列探测器
光电二极管提供标准和自定义配置的多元件或阵列探测器,以紧凑的封装提供我们的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有优势。

产品型号: AXUVPS7

所属分类:光电探测器阵列

更新时间:2024-05-07

详细说明:

OptoDiode多像元光电二极管是电子检测理想的选择,分段光电二极管光谱应用范围是250nm-1100nm,存储和工作温度在环境下是-10°C~40°C,在氮气或真空是-20°C至80°C,引线焊接温度是260°C。

响应性好,噪音低,OptoDiode多像元光电二极管
美国OptoDiode分段光电二极管有红色增强型和紫外线增强型分段探测器,AXUVPS7、SXUVPS4、SXUVPS4C分段探测器存储和工作温度在环境下是-10°C~40°C,在氮气或真空是-20°C至80°C,引线焊接温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移,对低能量辐射和波长低于150纳米的辐射的反应性将受到影响。距离外壳0.080",持续10秒。发货时带有临时盖子,以保护光电二极管和导线连接。在拆除盖子之前,请查看OptoDiode,"IRD检测器的处理注意事项"。美国OptoDiode分段探测器光子响应性好,噪音低,是电子检测的理想选择。

OptoDiode分段光电二极管型号

常见的基板分段探测器是精确归零或定心应用的理想选择,提供双节电池或四节电池配置。

型号

零件编号

描述

有效面积mm²

AXUVPS7

ODD-AXU-096

四光二极管是电子检测的理想选择

36.5

ODD-3W-2

ODD-632-007

红色增强型3.1mm²双电池光电二极管

3

SXUVPS4

ODD-SXU-013

象限紫外线增强光电二极管

5

SXUVPS4C

ODD-SXU-023

象限紫外线增强光电二极管

5



ODD-3W-2分段光电二极管的特点

- 红色增强型

- 低噪音

- 高响应

- 高分流电阻

- 扁平的TO-5封装    

在VR=5 V测试条件下,暗电流典型值是0.9na,最大值是5na。VR=10 mV, 分流电阻的典型值是300欧姆。当VR=0 V, f=1MHz,结点电阻是30pF,当VR=10 V, f=1MHz时结点电阻是7.5pF。光谱应用范围是250nm-1100nm。当λ=633nm, VR=0V时,反应性最小值是0.32A/W,典型值是0.36A/W,当λ=900nm, VR=0V时,反应性最小值是0.5A/W,典型值是0.6A/W。当IR=10μA,击穿电压最小值是25V,典型值是60V。当VR=0V, λ=950nm时,噪声等效功率2.5x10-14 W/√HZ。当RL=50Ω, VR=0V,上升时间典型值为190纳秒,当RL=50Ω, VR=10V,上升时间典型值为8纳秒。反向电压100V。暗电流与电压图同AXUVPS7分段光电二极管相同。

存储温度为-55°C~150°C,工作温度为-40°C~125°C,引线焊接温度是260°C。


Opto Diode光电二极管阵列,电子检测的理想选择
Opto Diode提供标准和定制配置的多元素或阵列探测器,以紧凑的封装提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有优点
Opto Diode光电二极管阵列有两种型号,采用40针双列式封装或者22针双列式封装,是电子检测的理想选择。有保护性盖板,以保护光电二极管阵列和导线连接。波威Opto Diode光电探测器阵列可以在紫外、可见、近红外光中进行响应,从典型的紫外-可见-近红外光子响应性图中可以看到灵敏度小于0.5A/W。
光电二极管阵列有效面积分别是3mm²和10mm²,AXUV16ELG光电二极管阵列是16个元件光电二极管阵列,AXUV20ELG多元素阵列是20个元素的阵列。光电二极管阵列储存和工作温度范围在外界下是-10°C~40°C,在氮气和真空下温度是-20°C~80°C,引线焊接的温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移,对低能量辐射和150纳米以下波长的响应性将受到影响。距离外壳0.080英寸,持续10秒。发货时带有临时盖子,以保护Opto Diode光电探测器阵列和导线连接。在拆除盖子之前,请查看应用说明 "AXUV、SXUV和UVG检测器的处理注意事项"。
AXUV16ELG光电二极管阵列的特点,
- 40针双列式封装
- 是电子检测的理想选择
- 保护性盖板
在25°C时的电光特性
AXUV16ELG光电二极管阵列在2mmx5mm的测试条件下,有效面积的典型值是10mm²。当电阻的电流为IR=1µA时,反向击穿电压典型值是25V。VR=0V时,电容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V测试条件下,上升时间典型值为500纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时,每个元件的分流电阻值是100欧姆。


AXUV20ELG光电探测器阵列的特点
- 22针双列式封装
- 是电子检测的理想选择
- 保护性盖板3
AXUV20ELG光电探测器阵列在0.75mmx4.1mm的测试条件下,有效面积的典型值是3mm²,灵敏度见图,当电阻的电流为IR=1µA时,反向击穿电压典型值是25V,最小值是20V。VR=0V时,电容,最大值是1nF。VR=0V测试条件下,上升时间典型值为200纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时,每个元件的分流电阻值是100欧姆。

SXUVPS4C分段光电二极管

TO-5,5引脚封装,SXUVPS4C分段光电二极管每象限有效面积的典型值是1.25mm²,在波长254nm时,响应性是0.02A/W。VR=±18V,暗电流典型值是1nA,最大值是100nA。当R=1µA时,反向击穿电压最小值是20V。VR=0V,电容典型值是100pF,最大值是300Pf。VR=0V时,上升时间典型值是1微秒。Vf=±10mV时分流电阻是100欧姆。电容与电压是反比的关系,暗电流与电压是正比的关系

AXUVPS7分段光电二极管的特点

- 是电子检测的理想选择

- 圆形有效区域


AXUVPS7分段光电二极管在25°C时的电光特性,有效面积的典型值是36.5mm²。响应性的最小值是0.07A/W,典型值是0.08A/W,最大值是0.09A/W。当VR为±10mV时,分流电阻最小值为10欧姆,当电阻的电流为IR=1µA时,反向击穿电压最小值是5V。VR=0V时,电容的典型值是2nF,最大值是6nf。当VR=2V, RL=50Ω,上升时间最大值是2微秒。

 

美国Optodiode光电二极管:多像元和阵列探测器

光电二极管提供标准和自定义配置的多元件或阵列探测器,以紧凑的封装提供我们的AXUVSXUVUVGNXIR系列的所有优势。

AXUV16ELG   ODD-AXU-023     16 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection

AXUV20ELG   ODD-AXU-033     20 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection

AXUV16ELG ODD-AXU-023 16元件光电二极管阵列是电子探测的理想选择

AXUV20ELG ODD-AXU-033 20元件光电二极管阵列是电子探测的理想选择

Optodiode光电二极管:电子、光子、X射线探测器(AXUV

AXUV系列探测器的特点是对0.0124nm190nm的光子、电子或X射线进行高性能测量,并检测100eV50keV的能量。

型号       描述

AXUV100G     ODD-AXU-010     Large Photodiode Ideal for Radiation Detection      

AXUV20A       ODD-AXU-026     Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection  

AXUV20HS1   ODD-AXU-036     High Speed Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection      

AXUV300C     ODD-AXU-082     Large Rectangular Photodiode Ideal for Radiation Detection

AXUV576C     ODD-AXU-048     Large Square Photodiode Ideal for Radiation Detection  

AXUV63HS1   ODD-AXU-049     High Speed Circuclar Photodiode Ideal for Radiation Detection    

AXUV63HS1-CH   ODD-AXU-051     High Speed Circular Photodiode with Center Hole Ideal for Radiation Detection

AXUV100G ODD-AXU-010 大型光电二极管是辐射检测的理想选择

AXUV20A ODD-AXU-026 圆形光电二极管是辐射探测的理想选择

AXUV20HS1 ODD-AXU-036 高速环形光电二极管是辐射探测的理想选择

AXUV300C ODD-AXU-082 大型矩形光电二极管是辐射探测的理想选择

AXUV576C ODD-AXU-048 大型方形光电二极管是辐射探测的理想选择

AXUV63HS1 ODD-AXU-049 高速环形光电二极管,辐射探测的理想选择

AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 带中心孔的高速圆形光电二极管是辐射探测的理想选择

光电二极管:EUV增强型探测器(SXUV

SXUV系列极紫外(EUV)增强型探测器具有好的13.5nm光刻能力,在1nm190nm的极紫外曝光中具有稳定的响应度,是关键的EUV光测量的理想选择。

SXUV100      ODD-SXU-001      Large EUV Photodetector (1nm-190nm)

SXUV20C       ODD-SXU-051      EUV Low Noise Photodetector (1nm-190nm)

SXUV20HS1   ODD-SXU-004      High Speed EUV Photodetector (1nm-190nm

SXUV300C     ODD-SXU-044      Large EUV High Speed Ceramic Package Photodetector (1nm-190nm)

SXUV5    ODD-SXU-008      High Speed EUV Photodetector (1nm-90nm)

SXUV100 ODD-SXU-001大型EUV光电探测器(1nm-190nm

SXUV20C ODD-SXU-051 EUV低噪声光电探测器(1nm-190nm

SXUV20HS1 ODD-SXU-004高速EUV光电探测器(1nm-190nm

SXUV300C ODD-SXU-044大型EUV高速陶瓷封装光电探测器(1nm-190nm

SXUV5 ODD-SXU-008高速EUV光电探测器(1nm-90nm

光电二极管:集成薄膜、封装和滤光器组件

光电二极管生产集成薄膜滤波器,用于检测太阳EUV辐射、软x射线辐射测量、x射线和EUV光刻、x射线显微镜和XUV光谱。我们还生产滤光窗、日光滤光器和多波长封装组件。

AXUV100TF030     ODD-AXU-019     Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

AXUV100TF400     ODD-AXU-002     Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

SXUV100TF135      ODD-SXU-003      Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

AXUV100TF030 ODD-AXU-019直接沉积薄膜滤光片光电二极管具有直接沉积薄膜滤光片

AXUV100TF400 ODD-AXU-002光电二极管

SXUV100TF135 ODD-SXU-003直接沉积薄膜滤光片光电二极管

 

 

 

 

 



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